型号: | 015AZ4.7-X |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 4.515 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ESC, 1-1G1A, 2 PIN |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 496K |
代理商: | 015AZ4.7-X |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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015AZ3.9-X | 3.835 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
015AZ12-Y | 11.995 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
015AZ12-Z | 12.33 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
015AZ5.1-X | 4.935 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
015AZ5.6-Z | 5.805 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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015AZ5.1 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ5.1X | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ5.1-X | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
015AZ5.1-X(TH3,F,T | 功能描述:稳压二极管 5.1volts 150mW 2Pin RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
015AZ5.1Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type |