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1217AS-H-3R3N=P3

配单专家企业名单
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  • 1217AS-H-3R3N=P3
    1217AS-H-3R3N=P3

    1217AS-H-3R3N=P3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 标准封装

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

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  • Murata Electronics North

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-83228629

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

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  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

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  • 1217AS-H-3R3N=P3
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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

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1217AS-H-3R3N=P3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 3.3μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 14.4 mOhm Max 2-SMD
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DEM8045C
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • 类型
  • 绕线
  • 材料 - 磁芯
  • 铁氧体
  • 电感
  • 3.3μH
  • 容差
  • ±30%
  • 额定电流
  • 6.8A
  • 电流 - 饱和值
  • 7.7A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 电阻(DCR)
  • 14.4 毫欧最大
  • 不同频率时的 Q 值
  • -
  • 频率 - 自谐振
  • -
  • 等级
  • -
  • 工作温度
  • -
  • 频率 - 测试
  • 100kHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 2-SMD
  • 大小/尺寸
  • 0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)
  • 0.177"(4.50mm)
  • 标准包装
  • 1
1217AS-H-3R3N=P3 技术参数
  • 1217AS-H-330M=P3 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 132 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:33μH 容差:±20% 额定电流:2.2A 电流 - 饱和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):132 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 1217AS-H-2R2N=P3 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 8.7A 9.9 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:2.2μH 容差:±30% 额定电流:8.7A 电流 - 饱和值:9.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):9.9 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 1217AS-H-220M=P3 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 2.4A 93.6 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:22μH 容差:±20% 额定电流:2.4A 电流 - 饱和值:2.9A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):93.6 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 1217AS-H-1R5N=P3 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 9.4A 7.6 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1.5μH 容差:±30% 额定电流:9.4A 电流 - 饱和值:11.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):7.6 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 1217AS-H-150M=P3 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 52.8 mOhm Max 2-SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DEM8045C 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:15μH 容差:±20% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:3.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):52.8 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:- 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-SMD 大小/尺寸:0.315" 长 x 0.315" 宽(8.00mm x 8.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.177"(4.50mm) 标准包装:1 1218 X 1/2" 1218000000 12180-10000-20 1-2180324-7 1-2180324-9 1218039-1 1218040-1 1218040-2 1218041-1 1218041-2 1218042-1 1218042-2 1218042-3 1218043-1 1218044-1 1218045-1 1218046-1 1218049-3
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