1226AS-H-R47N=P2

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1226AS-H-R47N=P2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
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1226AS-H-R47N=P2
深圳市新纳斯科技有限公司
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联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
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1226AS-H-R47N=P2
深圳市宝芯创电子有限公司
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联系人：陈先生
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地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
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功能描述
470nH Shielded Wirewound Inductor 3.9A 24 mOhm Max Nonstandard
制造商
murata electronics north america
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
470nH
容差
±30%
额定电流
3.9A
电流 - 饱和值
2.9A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
24 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 85°C
频率 - 测试
100kHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
非标准
大小/尺寸
0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.059"（1.50mm）
标准包装
1

1226AS-H-R47N=P2 技术参数

1226AS-H-6R8M=P2 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 156 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:156 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）标准包装:1 1226AS-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 96 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:950mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:96 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）标准包装:1 1226AS-H-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 68 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.9A 电流 - 饱和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:68 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）标准包装:1 1226AS-H-2R7M=P2 功能描述:2.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 63 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.7μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:63 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）标准包装:1 1226AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 52 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.2A 电流 - 饱和值:1.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:52 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）标准包装:1 1-227079-6 1-227079-9 122708-1 1-227086-0 12-271 1-2271454-6 1-2271457-6 1-227161-0 1-227161-4 1-227161-5 1-2271656-1 1-2271656-2 12-272 122722-1 122726-1 122729-2 1-2273000-1 1-2273000-2