1N2804RA

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
50 Watt Zener Diodes

1N2804RA 技术参数

1N2804B 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:0.2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 4.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AD 供应商器件封装:TO-204AD（TO-3）标准包装:1 1N2804A 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±10% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:0.2 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:150μA @ 4.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AD 供应商器件封装:TO-204AD（TO-3）标准包装:1 1N270 功能描述:DIODE SWITCHING 2DO-7 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 1N2138AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N2138A 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 60A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 60A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N2807RB 1N2808A 1N2808B 1N2808RB 1N2809A 1N2809B 1N2809RB 1N2810A 1N2810B 1N2810RB 1N2811A 1N2811B 1N2811RB 1N2812A 1N2812B 1N2812RB 1N2813A 1N2813B