1N3085全国供应商【买卖IC网】1N3085资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N3085
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
150
isc,iscsemi
DO-30,DO-205AC
2024+
-
国产品牌，可替代原装

1N3085R
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
MICROSEMI
原厂原装
23+
-
只做原装正品

1N3085R
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
2220
National Semiconductor
原厂原装
24+
-
授权代理商

1N3085R
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
86530
MICROSEMI
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

1N3085R
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
MICROSEMI
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

1N3085R
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
MICROSEMI
原厂原装
21+
-
只做原装正品

1N3085
昆山开发区美科微电子商行
昆山开发区美科微电子商行
联系人：易春花
电话：18951125455
地址：开发区朝阳东路99号3号房2楼
5000
美国/IR
QFP
19+
-
一级代理现货直销

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1

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功能描述
DIODE STD REC 100V 150A DO-30
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

1N3085 技术参数

1N3070UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3070TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N3070-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3070_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 1N3070 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3157-1 1N3157UR-1 1N3161 1N3161R 1N3162 1N3162R 1N3163 1N3163R 1N3164 1N3164R 1N3165 1N3165R 1N3166 1N3166R 1N3167 1N3167R 1N3168 1N3168R