1N3825AUR-1

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON 1 WATT ZENER DIODES

1N3825AUR-1 技术参数

1N3825A-1 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N3824AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N3824A-1 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N3823AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N3823A-1 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N3881 1N3881R 1N3882 1N3882R 1N3883 1N3883R 1N3889 1N3889R 1N3890 1N3890A 1N3890AR 1N3890R 1N3891 1N3891A 1N3891AR 1N3891R 1N3892 1N3892A