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1N3881RA

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1N3881RA 技术参数
  • 1N3881R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准型, 反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3881 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3880R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准型, 反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3880 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3879R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准型, 反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3890R 1N3891 1N3891A 1N3891AR 1N3891R 1N3892 1N3892A 1N3892AR 1N3892R 1N3893 1N3893A 1N3893AR 1N3893R 1N3899 1N3899R 1N3900 1N3900R 1N3901
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