1N3887M

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1N3887M 技术参数

1N3883R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3883 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3882R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3882 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3881R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5 1N3891R 1N3892 1N3892A 1N3892AR 1N3892R 1N3893 1N3893A 1N3893AR 1N3893R 1N3899 1N3899R 1N3900 1N3900R 1N3901 1N3901R 1N3902 1N3902R 1N3903