1N4004 TR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N4004 TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

1N4004 TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
46235
CENTRAL S
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

1N4004 TR
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
10
Central Semiconductor Cor
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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1

您是不是要找： 1N4004/54 1N4004_NL 1N4004AT-82 1N4004B-G 1N4004-E3/53 1N4004-E3/54 1N4004-E3/73 1N4004E-E3/53 1N4004E-E3/54

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功能描述
DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
生命周期结束
二极管类型
标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
400V
电流 - 平均整流（Io）
1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.1V @ 1A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）
-
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5μA @ 400V
不同?Vr，F 时的电容
-
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装
DO-41
工作温度 - 结
-65°C ~ 175°C
标准包装
1

1N4004 TR 技术参数

1N4004 BK 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:生命周期结束二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:2,000 1N4004 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4003-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4003T-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1N4003TA 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N4004E-E3/73 1N4004G 1N4004-G 1N4004G A0G 1N4004G B0G 1N4004G BK 1N4004G R0G 1N4004G R1G 1N4004GHA0G 1N4004GHB0G 1N4004GHR0G 1N4004GHR1G 1N4004GL-T 1N4004GP 1N4004GP-E3/54 1N4004GP-E3/73 1N4004GPE-E3/54 1N4004GPE-E3/73