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1N4006TA

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  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • 制造商
  • smc diode solutions
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 有效
  • 二极管类型
  • 标准
  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 800V
  • 电流 - 平均整流(Io)
  • 1A
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
  • 1V @ 1A
  • 速度
  • 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)
  • -
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 5μA @ 800V
  • 不同?Vr,F 时的电容
  • 15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商器件封装
  • DO-41
  • 工作温度 - 结
  • -65°C ~ 125°C
  • 标准包装
  • 5,000
1N4006TA 技术参数
  • 1N4006-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4006RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4006RL 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:10 1N4006L-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1N4006G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:8pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4007-E3/54 1N4007-E3/73 1N4007E-E3/53 1N4007E-E3/54 1N4007E-E3/73 1N4007FF 1N4007FFG 1N4007G 1N4007-G 1N4007G A0G 1N4007G B0G 1N4007G R0G 1N4007G R1G 1N4007GHA0G 1N4007GHB0G 1N4007GHR0G 1N4007GHR1G 1N4007GL-T
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