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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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科创特电子（香港）有限公司
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1N4101UR 技术参数

1N4101 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4101 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4100UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4100UR 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4100-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4103UR-1 1N4104 1N4104 (DO35) 1N4104 TR 1N4104-1 1N4104UR 1N4104UR-1 1N4105 1N4105 (DO35) 1N4105UR 1N4105UR-1 1N4106 1N4106 (DO35) 1N4106-1 1N4106UR 1N4106UR-1 1N4107 1N4107 (DO35)