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1N4151W-E3-08

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    1N4151W-E3-08

    1N4151W-E3-08

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 15960

  • Vishay

  • 原厂原装

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • 1N4151W-E3-08
    1N4151W-E3-08

    1N4151W-E3-08

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 57660

  • VISHAY SE

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • 1N4151W-E3-08 - Cut TR (SOS)
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • 1N4151W-E3-08 - Bulk
  • 制造商
  • Vishay Intertechnologies
  • 功能描述
  • Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/75V Io/150mA
  • 制造商
  • Vishay Intertechnologies
  • 功能描述
  • SWITCHING DIODE GENPURP SOD123
1N4151W-E3-08 技术参数
  • 1N4151TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:30,000 1N4151TAP 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:10,000 1N4151_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:30,000 1N4151 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):2ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4150W-HE3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18 1N4152 1N4152_T50A 1N4152_T50R 1N4152TR 1N4153 1N4153_T50R 1N4153-1 1N4153TR 1N4153UR-1 1N4154 1N4154_T50R 1N4154TAP 1N4154TR 1N4154TR_S00Z 1N4245 1N4245GP-M3/54
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