1N4448W-P

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1N4448W-P 技术参数

1N4448W-HE3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4448W-HE3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4448W-G3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4448W-G3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4448W-E3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4448WS-G3-08 1N4448WS-G3-18 1N4448WS-HE3-08 1N4448WS-HE3-18 1N4448WSQ-7-F 1N4448WSTR 1N4448WT 1N4448W-TP 1N4448WTR 1N4448WX-TP 1N4448X-TP 1N4449 1N4454 1N4454 BK 1N4454 TR 1N4454_S00Z 1N4454_T50R 1N4454-1