1N4570-1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 6.4V 5% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk

1N4570-1 技术参数

1N457_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 1N457 功能描述:DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:70V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,000 1N456ATR 功能描述:DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N456A_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 1N456A 功能描述:DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,000 1N4573A-1 1N4573AUR-1 1N4574-1 1N4574AUR-1 1N4575-1 1N4575AUR-1 1N4576-1 1N4576A-1 1N4576AUR-1 1N4577-1 1N4577A-1 1N4577AUR-1 1N4578A-1 1N4578AUR-1 1N4579-1 1N4579A-1 1N4579AUR-1 1N457A