1N4624 BK

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1N4624 BK
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
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CENTRAL SEMICONDUCTOR
主营优势
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制造商
CENTRAL SEMICONDUCTOR
功能描述
1N Series 250 mW 4.7 V 200 mA Low Noise Zener Diode DO-35

1N4624 BK 技术参数

1N4623UR 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 1N4623-1E3TR 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 250MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4623-1 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N4623 TR 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 250MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N4623 BK 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 250MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:4μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N4626-1 1N4626UR 1N4627 BK 1N4627 TR 1N4627-1 1N4627UR 1N462A 1N4678 (DO35) 1N4678 BK 1N4678 TR 1N4678UR-1 1N4679 1N4679 (DO35) 1N4679 BK 1N4679 TR 1N4679UR-1 1N4680 (DO35) 1N4680 BK