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1N4693TA

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1N4693TA 技术参数
  • 1N4693E3 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO-35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:- 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:* 标准包装:1 1N4693 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4693 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N4692UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N4692 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4697 (DO35) 1N4698 1N4698 (DO35) 1N4698-TP 1N4699 1N4699 (DO35) 1N4699 BK 1N4699 TR 1N4699UR-1 1N4700 (DO35) 1N4700 BK 1N4700 TR 1N4700UR-1 1N4701 1N4701 (DO35) 1N4701 BK 1N4701 TR 1N4701UR-1
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