1N4694_T50A

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功能描述
稳压二极管
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N4694_T50A 技术参数

1N4694 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 6.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4694 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4693UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N4693E3 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO-35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:- 零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:* 标准包装:1 1N4693 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4698-TP 1N4699 1N4699 (DO35) 1N4699 BK 1N4699 TR 1N4699UR-1 1N4700 (DO35) 1N4700 BK 1N4700 TR 1N4700UR-1 1N4701 1N4701 (DO35) 1N4701 BK 1N4701 TR 1N4701UR-1 1N4702 1N4702 (DO35) 1N4702 BK