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1N4732AP/TR12

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1.0W, VZ = 4.7V, ? 5% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 1.0W 4.7V 5% DO41
1N4732AP/TR12 技术参数
  • 1N4732AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000 1N4732A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:6,000 1N4732A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4732A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1,000 1N4732A,133 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4732A-TR 1N4732AUR 1N4732CE3/TR13 1N4732CP/TR12 1N4732CP/TR8 1N4732CPE3/TR12 1N4732CPE3/TR8 1N4732E3/TR13 1N4732G A0G 1N4732G R0G 1N4732P/TR12 1N4732P/TR8 1N4732PE3/TR12 1N4732PE3/TR8 1N4733 G 1N4733A 1N4733A BK 1N4733A G
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