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1N4732CPE3/TR12

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功能描述
DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL
制造商
microsemi corporation
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
4.7V
容差
±2%
功率 - 最大值
1W
阻抗（最大值）（Zzt）
8 欧姆
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
10μA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.2V @ 200mA
工作温度
-65°C ~ 150°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装
DO-204AL（DO-41）
标准包装
4,000

1N4732CPE3/TR12 技术参数

1N4732CP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4732CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4732CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 1N4732AUR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 标准包装:1 1N4732A-TR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4733A 1N4733A BK 1N4733A G 1N4733A TR 1N4733A,113 1N4733A,133 1N4733A_S00Z 1N4733A_T50A 1N4733A_T50R 1N4733AE3/TR13 1N4733AP/TR12 1N4733AP/TR8 1N4733APE3/TR12 1N4733APE3/TR8 1N4733A-T 1N4733A-T50A 1N4733A-T50R 1N4733ATA