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1N4737D

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  • Silicon 1 Watt Zener Diodes Plastic DO-41
1N4737D 技术参数
  • 1N4737CPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N4737CPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 1N4737CP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N4737CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 1N4737CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000 1N4738A BK 1N4738A G 1N4738A TR 1N4738A,113 1N4738A,133 1N4738A_S00Z 1N4738A_T50A 1N4738A_T50R 1N4738AE3/TR13 1N4738AP/TR12 1N4738AP/TR8 1N4738APE3/TR12 1N4738APE3/TR8 1N4738A-T 1N4738A-T50A 1N4738A-T50R 1N4738ATA 1N4738A-TAP
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