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1N4755CE3/TR13

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 43V, ? 2% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 43V 2% DO41

1N4755CE3/TR13 技术参数

1N4755AUR 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 标准包装:1 1N4755A-TR 功能描述:DIODE ZENER 43V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4755ATR 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4755A-TP 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41G 标准包装:1 1N4755A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 43V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:5,000 1N4755PE3/TR12 1N4755PE3/TR8 1N4756 G 1N4756A 1N4756A A0G 1N4756A B0G 1N4756A BK 1N4756A G 1N4756A R0G 1N4756A R1G 1N4756A TR 1N4756A_T50A 1N4756A_T50R 1N4756AE3/TR13 1N4756AHA0G 1N4756AHB0G 1N4756AHR0G 1N4756AHR1G