1N4757E3/TR13

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
1.0W, VZ = 51V, ? 10% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 1.0W 51V 10% DO41

1N4757E3/TR13 技术参数

1N4757CPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4757CPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4757CP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4757CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4757CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:5,000 1N4758A B0G 1N4758A BK 1N4758A G 1N4758A R0G 1N4758A R1G 1N4758A TR 1N4758A_T50A 1N4758A_T50R 1N4758AE3/TR13 1N4758AHA0G 1N4758AHB0G 1N4758AHR0G 1N4758AHR1G 1N4758AP/TR12 1N4758AP/TR8 1N4758APE3/TR12 1N4758APE3/TR8 1N4758A-T