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1N4761AHA0G

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 75V 1W DO204AL
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • 汽车级,AEC-Q101
  • 包装
  • 带盒(TB)
  • 零件状态
  • 在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
  • 75V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 1W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 175 Ohms
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 5μA @ 56V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商器件封装
  • DO-204AL(DO-41)
  • 标准包装
  • 3,000
1N4761AHA0G 技术参数
  • 1N4761AG 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N4761AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 75V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):175 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000 1N4761A TR 功能描述:DIODE ZENER 75V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):175 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 1N4761A R1G 功能描述:DIODE ZENER 75V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):175 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 56V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000 1N4761A R0G 功能描述:DIODE ZENER 75V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):175 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 56V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000 1N4761A-TAP 1N4761A-TP 1N4761A-TR 1N4761AUR 1N4761CE3/TR13 1N4761CP/TR12 1N4761CP/TR8 1N4761CPE3/TR12 1N4761CPE3/TR8 1N4761E3/TR13 1N4761P/TR12 1N4761P/TR8 1N4761PE3/TR12 1N4761PE3/TR8 1N4762 G 1N4762A A0G 1N4762A B0G 1N4762A G
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