1N4770A180V

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1N4770A180V
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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1N4770A180V 技术参数

1N4770A 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4770 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:0°C ~ 75°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4769A 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:350 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4769 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:350 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:0°C ~ 75°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4768A 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:350 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N4775A 1N4776 1N4776A 1N4777 1N4777A 1N4778 1N4778A 1N4779 1N4779A 1N4780 1N4780A 1N4781 1N4781A 1N4782 1N4782A 1N4783 1N4783A 1N4784