1N486B(T50A)

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1N486B(T50A) 技术参数

1N486B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N486A 1N4864 BK 功能描述:DIODE SWITCHING DO-35 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束标准包装:2,500 1N485BUR 功能描述:DIODE GEN PURP 180V 100MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 电流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 180V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N485BTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N4892A 1N4893 1N4893A 1N4894 1N4894A 1N4895 1N4895A 1N4896 1N4896A 1N4897 1N4897A 1N4898 1N4898A 1N4899 1N4899A 1N4900 1N4900A 1N4901