1N4934-E3/73

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说明
操作

1N4934-E3/73
现货
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
5000
Vishay(威世)
22+
-
原装现货库存优势价格出库

1N4934-E3/73
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
20000
VISHY
1N4934-E3
假一赔十！
-
原装自己现货！！

1N4934-E3/73
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
GS
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N4934-E3/73
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
20000
VISHY
1N4934-E3
2012+
-

1N4934-E3/73
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 100 Volt
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

1N4934-E3/73 技术参数

1N4934-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4934 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4933-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4933RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4933RL 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:300ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:10 1N4934GHR1G 1N4934GP 1N4934GP-E3/54 1N4934GP-E3/73 1N4934GPE-E3/54 1N4934GPE-E3/91 1N4934GPEHE3/54 1N4934GPEHE3/91 1N4934GPHE3/54 1N4934GPHE3/73 1N4934GP-M3/54 1N4934GP-M3/73 1N4934G-T 1N4934L-T 1N4934RL 1N4934RLG 1N4934-T 1N4935