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1N4942GP-E3/1

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  • 1N4942GP-E3/1
    1N4942GP-E3/1

    1N4942GP-E3/1

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 850000

  • Vishay Semiconductors

  • DO-204AL

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货库存!400-800-030...

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
1N4942GP-E3/1 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 200 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
1N4942GP-E3/1 技术参数
  • 1N4942C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:27pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:- 标准包装:1 1N4942 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:45pF @ 12V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4938UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):175V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 175V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4938TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):500mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:5pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C(最大) 标准包装:30,000 1N4938-1 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):175V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 175V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4944GPHE3/54 1N4944GPHE3/73 1N4944GP-M3/54 1N4944GP-M3/73 1N4946 1N4946GP-E3/54 1N4946GP-E3/73 1N4946GPHE3/54 1N4946GPHE3/73 1N4946GP-M3/54 1N4946GP-M3/73 1N4947 1N4947GP-E3/53 1N4947GP-E3/54 1N4947GP-E3/73 1N4947GPHE3/54 1N4947GPHE3/73 1N4947GPHM3/73
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