1N5222A

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制造商
FCI
制造商全称
First Components International
功能描述
1/2 Watt ZENER DIODES

1N5222A 技术参数

1N5221C-TR 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5221C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，Superectifier? 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5221BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5221B-TR 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5221B-TP 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5222BTA 1N5222B-TAP 1N5222B-TP 1N5222B-TR 1N5222BUR-1 1N5222C-TAP 1N5222C-TR 1N5223A 1N5223A (DO-35)TR 1N5223B 1N5223B (DO-35) 1N5223B A0G 1N5223B BK 1N5223B TR 1N5223B_T50A 1N5223B_T50R 1N5223B-T 1N5223BTA