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1N52351N4736A

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  • n/a
  • 功能描述
  • DIODE
1N52351N4736A 技术参数
  • 1N5234TA 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5234C-TR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5234CTR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5234C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5234C 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N5235B_T50R 1N5235BDO35 1N5235B-T 1N5235BTA 1N5235B-TAP 1N5235B-TP 1N5235BTR 1N5235B-TR 1N5235BUR-1 1N5235C-TAP 1N5235C-TR 1N5235TA 1N5236A 1N5236A (DO-35) 1N5236B 1N5236B (DO-35) 1N5236B A0G 1N5236B BK
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