1N5252B A0G

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功能描述
DIODE ZENER 24V 500MW DO35
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
24V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
33 Ohms
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 18V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1.1V @ 200mA
工作温度
100°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
标准包装
1

1N5252B A0G 技术参数

1N5252B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5252B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5252A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:33 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 17.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5252A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5251TA 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:22V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 17V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5252BTR 1N5252B-TR 1N5252C-TAP 1N5252C-TR 1N5252TA 1N5253A 1N5253A (DO-35) 1N5253B 1N5253B (DO-35) 1N5253B A0G 1N5253B BK 1N5253B TR 1N5253B_S00Z 1N5253B_T50R 1N5253B-T 1N5253BTA 1N5253B-TAP 1N5253B-TP