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1N5261B-TP

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  • 功能描述
  • 稳压二极管 500mW 47V
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1N5261B-TP 技术参数
  • 1N5261B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 2.7A 47V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):105 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5261BTA 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):105 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 34V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5261B-T 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):105 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5261B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):105 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5261B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):105 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5262B A0G 1N5262B BK 1N5262B TR 1N5262B_T50A 1N5262B_T50R 1N5262BDO35 1N5262B-T 1N5262B-T50A 1N5262BTA 1N5262B-TAP 1N5262B-TP 1N5262B-TR 1N5262BUR-1 1N5262C-TAP 1N5262C-TR 1N5262TA 1N5263 1N5263A (DO-35)
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