1N5261BTA

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功能描述
DIODE ZENER 47V 500MW DO35
制造商
smc diode solutions
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
47V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
105 欧姆
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 34V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作温度
200°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
标准包装
5,000

1N5261BTA 技术参数

1N5261B-T 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5261B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5261B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5261B TR 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5261B BK 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5262B 1N5262B (DO-35) 1N5262B A0G 1N5262B BK 1N5262B TR 1N5262B_T50A 1N5262B_T50R 1N5262BDO35 1N5262B-T 1N5262B-T50A 1N5262BTA 1N5262B-TAP 1N5262B-TP 1N5262B-TR 1N5262BUR-1 1N5262C-TAP 1N5262C-TR 1N5262TA