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1N5262B A0G

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  • 功能描述
  • DIODE ZENER 51V 500MW DO35
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带盒(TB)
  • 零件状态
  • 在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
  • 51V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 125 Ohms
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 100nA @ 39V
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作温度
  • 100°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装
  • DO-35
  • 标准包装
  • 5,000
1N5262B A0G 技术参数
  • 1N5262B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):125 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5262B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5262A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):125 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 37V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5262A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5261TA 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):105 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 36V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5262B-TP 1N5262B-TR 1N5262BUR-1 1N5262C-TAP 1N5262C-TR 1N5262TA 1N5263 1N5263A (DO-35) 1N5263B 1N5263B (DO-35) 1N5263B A0G 1N5263B BK 1N5263B TR 1N5263B_T50A 1N5263B_T50R 1N5263BDO35 1N5263B-T 1N5263B-T50R
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