1N5262B_T50R

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功能描述
稳压二极管 Zener Diode
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N5262B_T50R 技术参数

1N5262B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5262B TR 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5262B BK 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5262B A0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:100°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5262B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 39V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5262C-TR 1N5262TA 1N5263 1N5263A (DO-35) 1N5263B 1N5263B (DO-35) 1N5263B A0G 1N5263B BK 1N5263B TR 1N5263B_T50A 1N5263B_T50R 1N5263BDO35 1N5263B-T 1N5263B-T50R 1N5263B-TAP 1N5263B-TP 1N5263B-TR 1N5263BUR-1