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1N5263B-TAP

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 1N5263B-TAP
    1N5263B-TAP

    1N5263B-TAP

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原装正品质量保障 电话010-62104...

  • 1N5263B-TAP 稳压(齐纳)二极管
    1N5263B-TAP 稳压(齐纳)二极管

    1N5263B-TAP 稳压(齐纳)二极管

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • VISHAY/威世

  • DO-35

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • 1N5263B-TAP 稳压(齐纳)二极管
    1N5263B-TAP 稳压(齐纳)二极管

    1N5263B-TAP 稳压(齐纳)二极管

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • VISHAY/威世

  • DO-35

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • 1N5263B-TAP
    1N5263B-TAP

    1N5263B-TAP

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 9272

  • Vishay Semiconductor Diod

  • DO-204AH,DO-35,轴向

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

  • 1/1页 40条/页 共17条 
  • 1
1N5263B-TAP PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 稳压二极管 56 Volt 0.5W 5%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1N5263B-TAP 技术参数
  • 1N5263B-T50R 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 基本零件编号:1N5263 标准包装:1 1N5263B-T 功能描述:DIODE ZENER 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1300 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5263BDO35 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5263B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5263B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5264B (DO-35) 1N5264B BK 1N5264B TR 1N5264BDO35 1N5264B-T 1N5264B-TAP 1N5264B-TP 1N5264B-TR 1N5264BUR-1 1N5264C-TAP 1N5264C-TR 1N5265 1N5265A 1N5265A (DO-35) 1N5265B 1N5265B (DO-35) 1N5265B TR 1N5265BDO35
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