1N5283-1JANTX

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1N5283-1JANTX
标准国际(香港)有限公司
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联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
229
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

1N5283-1JANTX
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
229
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

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1N5283-1JANTX 技术参数

1N5282TR 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 55V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N5282_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 55V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 1N5282 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 55V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:2,000 1N5281BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5281BDO35TR 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5288-1 1N5288UR-1 1N5289-1 1N5289UR-1 1N5291-1 1N5291UR-1 1N5292-1 1N5292UR-1 1N5293-1 1N5293UR-1 1N5294-1 1N5294UR-1 1N5295UR-1 1N5296-1 1N5296UR-1 1N5297-1 1N5298-1 1N5298UR-1