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  • 1N5351CE3/TR8
  • 50000
  • Microsemi
  • 2年内
  • 标准封装
  • 1N5351CE3/TR8
  • 10000
  • Microsemi Corporation
  • 2018
  • T-18
1
1N5351CE3/TR8
参数信息:

制造商:Microsemi Corporation

功能描述:5.0W, VZ = 14V, ? 2% - Tape and Reel

制造商:Microsemi Corporation

功能描述:DIODE ZENER 5.0W 14V 2% T-18

1N5351CE3/TR8技术参数

1N5351CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 14V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 10.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5351CE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 14V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 10.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5351C/TR8 功能描述:DIODE ZENER 14V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 10.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5351C/TR12 功能描述:DIODE ZENER 14V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 10.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5351B-TP 功能描述:DIODE ZENER 14V 5W DO15 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):14V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 10.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商器件封装:DO-15 标准包装:1 1N5352AE3/TR8 1N5352B 1N5352B/TR12 1N5352B/TR8 1N5352BE3/TR12 1N5352BE3/TR13 1N5352BE3/TR8 1N5352BG 1N5352BRL 1N5352BRLG 1N5352B-TP 1N5352C/TR12 1N5352C/TR8 1N5352CE3/TR12 1N5352CE3/TR13 1N5352CE3/TR8 1N5352E3/TR12 1N5352E3/TR13

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