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1N5362B
参数信息:

功能描述:稳压二极管 28V 5W

RoHS:

制造商:Vishay Semiconductors

齐纳电压:12 V

电压容差:5 %

电压温度系数:0.075 % / K

齐纳电流:

功率耗散:3 W

最大反向漏泄电流:3 uA

最大齐纳阻抗:7 Ohms

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DO-214AC

封装:Reel

1N5362B技术参数

1N5362AE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 20.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5362AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 20.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5362AE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 20.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5362A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 20.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5362A/TR12 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 20.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5362C/TR12 1N5362C/TR8 1N5362CE3/TR12 1N5362CE3/TR13 1N5362CE3/TR8 1N5362E3/TR12 1N5362E3/TR13 1N5362E3/TR8 1N5363/TR12 1N5363/TR8 1N5363A/TR12 1N5363A/TR8 1N5363AE3/TR12 1N5363AE3/TR13 1N5363AE3/TR8 1N5363B 1N5363B/TR12 1N5363B/TR8

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