1N5386AT/R

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1N5386AT/R
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
20000
EIC
Standard
2024+
-
一级代理商原装现货

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1N5386AT/R 技术参数

1N5386AE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 180V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:180V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:430 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5386AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 180V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:180V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:430 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5386AE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 180V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:180V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:430 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5386A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 180V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:180V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:430 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5386A/TR12 功能描述:DIODE ZENER 180V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:180V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:430 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 130V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5386C/TR12 1N5386C/TR8 1N5386CE3/TR12 1N5386CE3/TR13 1N5386CE3/TR8 1N5386E3/TR12 1N5386E3/TR13 1N5386E3/TR8 1N5387/TR12 1N5387/TR8 1N5387A/TR12 1N5387A/TR8 1N5387AE3/TR12 1N5387AE3/TR13 1N5387AE3/TR8 1N5387B 1N5387B/TR12 1N5387B/TR8