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1N5391-E3/51

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1N5391-E3/51
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
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功能描述
整流器 1.5 Amp 50 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N5391-E3/51 技术参数

1N5391 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-15 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:4,000 1N5388E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 144V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5388E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 144V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5388E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 144V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5388CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 144V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5391GPHE3/54 1N5391G-T 1N5391S-T 1N5391-T 1N5392 1N5392-E3/54 1N5392-E3/73 1N5392G A0G 1N5392G B0G 1N5392G R0G 1N5392GHA0G 1N5392GHB0G 1N5392GHR0G 1N5392G-T 1N5392S-T 1N5392-T 1N5393 1N5393-E3/54