1N5402/4

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1N5402/4
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
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原厂
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百分百进口原装现货，价格有优势。

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1N5402/4 技术参数

1N5402 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5401-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5401TA 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,250 1N5401-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5401RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5402G R0G 1N5402GHA0G 1N5402GHB0G 1N5402GHR0G 1N5402GP-TP 1N5402G-T 1N5402RL 1N5402RLG 1N5402-T 1N5402TA 1N5402T-G 1N5402-TP 1N5403 1N5403-E3/54 1N5404 1N5404-B 1N5404-E3/51 1N5404-E3/54