1N5402E373

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1N5402E373
深圳市华芯盛世科技有限公司
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865000
vishay
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1N5402E373 技术参数

1N5402-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1,000 1N5402-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5402-E3/51 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1,500 1N5402-B 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 1N5402/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5402G-T 1N5402RL 1N5402RLG 1N5402-T 1N5402TA 1N5402T-G 1N5402-TP 1N5403 1N5403-E3/54 1N5404 1N5404-B 1N5404-E3/51 1N5404-E3/54 1N5404-E3/73 1N5404G 1N5404-G 1N5404G A0G 1N5404G B0G