1N5417US全国供应商 1N5417US资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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1N5417US
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
986
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N5417US
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

1N5417US
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
986
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N5417US
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

1N5417US
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
89
Microsemi Corporation
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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1

您是不是要找： 1N5418 1N5418C.TR 1N5418-TAP 1N5418TR 1N5418US 1N5419 1N5419E3 1N5419US 1N5420

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF
制造商
Sensitron Semiconductors
功能描述
Diode Switching 200V 3A 2-Pin MELF-B
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
FAST RECOVERY RECTFR 200V 3A 2PIN E-MELF - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Switching 200V 3A 2-Pin E-MELF

1N5417US 技术参数

1N5417TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 1N5417-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-64，轴向供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 1N5417C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:250pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:- 标准包装:1 1N5417 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5416US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5420US 1N5518B 1N5518B (DO35) 1N5518BUR-1 1N5519B 1N5519B (DO35) 1N5519BUR-1 1N5520B 1N5520B (DO35) 1N5520BUR-1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1