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1N5418C.TR

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • SEMTECH

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  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

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    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

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  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL
  • 制造商
  • semtech corporation
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • 二极管类型
  • 标准
  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 400V
  • 电流 - 平均整流(Io)
  • 4.5A
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 1.1V @ 3A
  • 速度
  • 快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)
  • 150ns
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 1μA @ 400V
  • 不同?Vr,F 时的电容
  • 165pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • 轴向
  • 供应商器件封装
  • 轴向
  • 工作温度 - 结
  • -
  • 标准包装
  • 1
1N5418C.TR 技术参数
  • 1N5418 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5417US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5417TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-64,轴向 供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 1N5417-TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 二极管类型:雪崩 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):100ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SOD-64,轴向 供应商器件封装:SOD-64 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:2,500 1N5417C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):4.5A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:250pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:- 标准包装:1 1N5518B (DO35) 1N5518BUR-1 1N5519B 1N5519B (DO35) 1N5519BUR-1 1N5520B 1N5520B (DO35) 1N5520BUR-1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35)
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