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1N5531B-1JTX MANU - MSC
深圳市华芯盛世科技有限公司
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1N5531B 技术参数

1N5530BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5530B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5530B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5529BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5529B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5535B 1N5535BUR-1 1N5536B 1N5536BUR-1 1N5537B 1N5537BUR-1 1N5538B 1N5538BUR-1 1N5539B 1N5539BUR-1 1N5540B 1N5540BUR-1 1N5541B 1N5542B 1N5542BUR-1 1N5543B 1N5543BUR-1 1N5544B