1N5616C.TR

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说明
操作

1N5616C.TR
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
SEMTECH
con
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-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

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北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
SEMTECH
NA
23+
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现货！就到京北通宇商城

1N5616C.TR
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
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功能描述
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
制造商
semtech corporation
系列
*
零件状态
在售
标准包装
1

1N5616C.TR 技术参数

1N5616 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N5615US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:45pF @ 12V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N5615US 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:45pF @ 12V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5615GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:4,000 1N5615GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101，Superectifier? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:6,000 1N5618GPHE3/54 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/73 1N5619GPHE3/54 1N5619US 1N5620 1N5620C.TR 1N5620GPHE3/54 1N5620GPHE3/73 1N5620US 1N5621 1N5621GP-E3/54 1N5621GP-E3/73 1N5621GPHE3/54 1N5621US 1N5622