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1N5624GP-E3/51

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 1N5624GP-E3/51
    1N5624GP-E3/51

    1N5624GP-E3/51

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 850000

  • Vishay Semiconductors

  • DO-201AD

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货库存!400-800-030...

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
1N5624GP-E3/51 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 3.0 Amp 200 Volt Glass Passivated
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
1N5624GP-E3/51 技术参数
  • 1N5623US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 12V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5623GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商器件封装:DO-204AC(DO-15) 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:4,000 1N5623GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向 供应商器件封装:DO-204AC(DO-15) 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5623 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 12V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5622US 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N5625-TR 1N5626GP-E3/54 1N5626GP-E3/73 1N5626GPHE3/54 1N5626-TAP 1N5626-TR 1N5627GP-E3/54 1N5627GP-E3/73 1N5627GPHE3/54 1N5627-TAP 1N5627-TR 1N5629 1N5629A 1N5630 1N5630A 1N5631 1N5631A 1N5632
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