1N5636BJANTX

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1N5636BJANTX 技术参数

1N5636A 功能描述:TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:82A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5636 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5635A 功能描述:TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:10.2V 电压 - 击穿（最小值）:11.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:16.7V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:90A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5635 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5634A 功能描述:TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:9.4V 电压 - 击穿（最小值）:10.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:96A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5640 1N5640A 1N5641 1N5641A 1N5642 1N5642A 1N5643 1N5643A 1N5644 1N5644A 1N5645 1N5645A 1N5646A 1N5647 1N5647A 1N5648 1N5648A 1N5649