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1N5811C.TR

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

  • 100

  • SEMTECH

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  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

  • 1N5811C.TR
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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

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  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

  • 1N5811C.TR
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

  • 100

  • SEMTECH

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  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
  • 制造商
  • semtech corporation
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • 二极管类型
  • 标准
  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 150V
  • 电流 - 平均整流(Io)
  • 6A
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf
  • 875mV @ 4A
  • 速度
  • 快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)
  • 30ns
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
  • 5μA @ 150V
  • 不同?Vr,F 时的电容
  • 60pF @ 5V,1MHz
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • 轴向
  • 供应商器件封装
  • 轴向
  • 工作温度 - 结
  • -65°C ~ 175°C
  • 标准包装
  • 1
1N5811C.TR 技术参数
  • 1N5811 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:- 标准包装:1 1N5809US.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:- 标准包装:1 1N5809US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5809/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 10V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:B,轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N5809 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 10V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5815 1N5815R 1N5816 1N5816R 1N5817 1N5817 A0G 1N5817 B0G 1N5817 BK 1N5817 R0G 1N5817 R1G 1N5817 TR 1N5817/54 1N5817-B 1N5817-E3/53 1N5817-E3/54 1N5817-E3/73 1N5817G 1N5817HA0G
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