1N5817RLG-ON#

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1N5817RLG-ON# 技术参数

1N5817RLG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5817RL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:10 1N5817M-13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-60°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5817HR1G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5817HR0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5818/54 1N5818-B 1N5818-E3/1 1N5818-E3/53 1N5818-E3/54 1N5818-E3/73 1N5818G 1N5818HA0G 1N5818HB0G 1N5818HR0G 1N5818HR1G 1N5818M-13 1N5818RL 1N5818RLG 1N5818-T 1N5818-TP 1N5819 1N5819 A0G